关于空穴导电的微观解释,以及PN结导电的几个疑问最近在看固态电子学,对于半导体导电这方面感觉受益良多,现说下个人对空穴导电的几点认识以及一些关于pn结导电的疑问.空穴导电的本质

关于空穴导电的微观解释,以及PN结导电的几个疑问最近在看固态电子学,对于半导体导电这方面感觉受益良多,现说下个人对空穴导电的几点认识以及一些关于pn结导电的疑问.空穴导电的本质
关于空穴导电的微观解释,以及PN结导电的几个疑问
最近在看固态电子学,对于半导体导电这方面感觉受益良多,现说下个人对空穴导电的几点认识以及一些关于pn结导电的疑问.
空穴导电的本质：当电子从价带进入导带后,原先与其共价的电子则失去了约束,形成了在共价带的导电,同时也因为之前电子的迁移,则共价带中有了空的能态以供电子移动,所以形成了所谓的“空穴导电”.特殊的,在掺杂半导体中,以3价掺杂4价本征半导体为例,因为天生的在与4价原子的结合中缺少一个电子,即造成在共价带之上出现了一个空的能级,从而可以使共价带中的电子很容易就可以达到这个空的能级中,而在价带中留下了大量空的能态,从而保证了价带中电子的移动,空穴即可理解为没有被电子占据的能态.
但是在pn结的导电中,p型半导体中价带中有大量空的能态,而n型半导体中导带有大量自由电子,在外加正向电场（p到n）的作用下（一下简略用n代替n型半导体,p代替p型半导体）,n中的电子向p移动,p中的电子向电源移动,但是n中的导带的自由电子是仍要移动到p的导带吗,还是会走向p的价带中,当然如果从能级跃迁的角度来理解,应该还是到导带,要不是否会产生额外能量的释放,不过应该是这样吗,毕竟电子总是倾向于向占据低能级的能态,而是否会去占据的是p中价带的空的能态呢?
向大家请教,有错误的地方,尽管批评指正,谢谢.
由于还没有看到pn结导电的部分，所以问题中提及的仅是个人一些想法，不当之处请见谅，呵呵。
同样的问题在纯靠空穴导电的材料中是否也存在？即电子总是在价带中移动而不会跃迁到导带，不过毕竟由于价带的能级低，似乎更合理一些，呵呵。
我同意你对于我说的热激发的问题的纠正，以及少子存在的问题，但是我这里主要强调的是P型掺杂的结果，即改变了本征半导体本来的特性，还有我主要想知道的是我在问题主要部分中提到的pn结导电过程的一些微观过程的疑问，主要考虑多子导电的过程，主要想知道电子在导通的过程中有没有可能在导带和价带间“穿越”（应该主要是由导带到价带），我记得以前刚学pn结的时候好像在有这样一个说法，即两种半导体在接触之后，会有少量的空穴和电子的“结合”，然后由于电荷量在两种半导体中的平衡被打破，就在pn结间形成了一个电场，由n到p，从而阻止了电子空穴的继续漂移，但是在外加电场，pn结导通的情况下，这种结合是否会再次出现，还是只是电子和空穴各自在导带和价带中沿着电场移动，假设是在常态下的导通，比如室温，请继续，谢谢。

关于空穴导电的微观解释,以及PN结导电的几个疑问最近在看固态电子学,对于半导体导电这方面感觉受益良多,现说下个人对空穴导电的几点认识以及一些关于pn结导电的疑问.空穴导电的本质
我很认真的看了你写的问题,我也对半导体物理很感兴趣,希望和你交流.我也在学习这方面的东西.
对于你提到的“同样的问题在纯靠空穴导电的材料中是否也存在?即电子总是在价带中移动而不会跃迁到导带,不过毕竟由于价带的能级低”这句话,
我认为不存在.因为,“电子总是在价带中移动而不会跃迁到导带”是不可能的. 只有在绝对零度的时候,才能让电子全部在价带,即价带全满,导带全空.但事实上,绝对零度永远达不到（热力学第三定律）.所以,材料总会存在自身的热激发,即总会有一部分电子通过热运动跃迁到导带中去,从而在价带中产生等量的空穴. 
好的,继续交流吧.
我再说明一下： 
1、 我说的“价带全满,导带全空”,明确的指明了温度是在 绝对零度,这时候是束缚态.   
2、 再来说说P型半导体吧.没错,P型半导体在价带中存在大量大量的空穴,P型半导体“几乎全靠”空穴导电（称之为多子）.为什么说几乎呢?因为这并不意味着导带中就没有电子,事实上P型半导体导带仍然会有少量的电子（称之为少子）（公式也可以说明这点）.而这个电子就是来源于热激发.
3、再补充一下,“热激发实际上就是掺杂半导体的特性”这话不对呀,热激发不论是掺杂半导体,还是非掺杂半导体（即本征半导体）都有自身热激发现象（除非温度是绝对零度,但这是无法达到的）.
4. 补充一个公式来说明一点,在热平衡状态下,不论是掺杂半导体,还是非掺杂半导体（即本征半导体）,都有如下关系：
 
5.  从公式中也可以看到,价带中的空穴,导带中的电子,二者会同时存在的,并且二者的乘积为定值（当然,前提是处于热平衡状态） 
好的,继续说说吧.
你关心的问题是  ：主要想知道电子在导通的过程中有没有可能在导带和价带间“穿越”（应该主要是由导带到价带）
其实,这个情况是存在的. PN结,加正向电压的时候,P区的多子（空穴）向N区扩散,N区的多子（电子）向P区扩散.那么,就会有一部分的电子和空穴在中间相遇,发生载流子的复合现象.
事实上,这个载流子的复合过程,就是导带中的电子跌落到价带中添补了空穴,结果是这一对载流子（电子空穴）成对消失.
补充：PN结正偏的时候,P区N区的多子向对方区域扩散的过程中,载流子在势垒区发生复合,至于有多少载流子会被复合掉,有多少载流子能顺利地扩散到对方区域,这个比例大小与外加的正向电压有关系,在不同的电压范围内比例不一样.
都讨论两天了,不知道我的回答您满意吗?