N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模拟电子第三版,谁能给讲下

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/06 04:10:18
N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模拟电子第三版,谁能给讲下

N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模拟电子第三版,谁能给讲下
N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模拟电子第三版,谁能给讲下

N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模拟电子第三版,谁能给讲下
1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的.
2、第三个式子是从第二个推导出来的.
3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了.具体过程是这样的.
(1)首先设定UDS为0,然后慢慢增加UGS,等到UGS〉UGS(th),管子两端只要加微量电流,管子就可以导通,此时沟道形成了.
(2)当UGS为大于UGS(th)的某个特定值,然后增加UDS.当UDSUGS-UGS(th),此时管子的电流就不会随着UDS变化而变化了,基本上维持恒定,只与UGS有关系,UGS越大,电流越大.
我不太喜欢用UGD表示,还是用UDS和UGS表示比较直观.
模电很多结论一方面是从半导体物理基础研究而来,也有很多是从实验结果获得的.

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